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三星全球首秀3nm!电压只需0.23V

环球资讯网 https://www.huanqiu9.cn 2021-03-17 09:10 出处:网络 作者:[db:作者]编辑:@河南在线
IEEE ISSCC国际固态电路大会上,三星(确切地说是Samsung Foundry)首次展示了采用3nm工艺制造的芯片,是一颗256Mb(32MB)容量的SRAM存储芯片,这也是新工艺落地传统的第一步。

IEEE ISSCC国际固态电路大会上,三星(确切地说是Samsung Foundry)首次展示了采用3nm工艺制造的芯片,是一颗256Mb(32MB)容量的SRAM存储芯片,这也是新工艺落地传统的第一步。

在三星路线图上,14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工艺节点,其他则是升级改善型,包括11/8/6/5/4nm等等。

三星全球首秀3nm!电压只需0.23V

三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术,再次实现了晶体管结构的突破,比现在的FinFET立体晶体管又是一大飞跃。

GAAFET技术又分为两种类型,一是常规GAAFET,使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin),二是MBCFET(多桥通道场效应晶体管),使用的鳍更厚更宽一些,称之为纳米片(nanosheet)。

三星全球首秀3nm!电压只需0.23V

三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET,容量256Mb,面积56平方毫米,最令三星骄傲的就是超低功耗,写入电压只需要区区0.23V,这要感谢MBCFET的多种省电技术。

按照三星的说法,3GAE工艺相比于其7LPP,可将晶体管密度增加最多80%,性能提升最多30%,或者功耗降低最多50%。

或许,这可以让三星更好地控制芯片功耗、发热,避免再出现所谓的“翻车”。

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